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STW48N60M2-4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-4

描述:

场效应管(MOSFET) STW48N60M2-4 TO-247-4

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW48N60M2-4 数据手册 (12 页)

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STW48N60M2-4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

TO-247-4

极性

N-CH

功耗

300 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

42A

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

3060pF @100V(Vds)

下降时间

119 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

STW48N60M2-4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

150℃ (TJ)

STW48N60M2-4 符合标准

STW48N60M2-4 概述

STW48N60M2-4 数据手册

STW48N60M2-4 产品封装文件

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