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STW56N60M2-4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-4

描述:

N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STW56N60M2-4 数据手册 (12 页)

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STW56N60M2-4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

TO-247-4

漏源极电阻

0.055 Ω

极性

N-CH

功耗

350 W

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

52A

上升时间

26.5 ns

输入电容值(Ciss)

3750pF @100V(Vds)

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350W (Tc)

STW56N60M2-4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.9 mm

宽度

5.1 mm

高度

21.1 mm

工作温度

150℃ (TJ)

STW56N60M2-4 符合标准

STW56N60M2-4 概述

STW56N60M2-4 数据手册

STW56N60M2-4 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.75 MByte

STW56N60M2-4 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.88 MByte

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STMICROELECTRONICS STW56N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新

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N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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