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STW56N65DM2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

STMICROELECTRONICS STW56N65DM2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 49 A, 650 V, 0.049 ohm, 10 V, 3 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW56N65DM2 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STW56N65DM2 数据手册 (12 页)

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STW56N65DM2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.049 Ω

极性

N-Channel

功耗

358 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

650 V

上升时间

31 ns

输入电容值(Ciss)

4100pF @100V(Vds)

下降时间

7.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

360W (Tc)

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STW56N65DM2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW56N65DM2 符合标准

STW56N65DM2 概述

STW56N65DM2 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.69 MByte

STW56N65DM2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STW56N65DM2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.69 MByte

STW56N65DM2 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STW56N65 数据手册

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