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STW60NE10
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STW60NE10 数据手册 (8 页)
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STW60NE10 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
100 V
额定电流
60.0 A
封装
TO-247-3
功耗
180W (Tc)
输入电容
5.30 nF
栅电荷
185 nC
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
60.0 A
输入电容值(Ciss)
5300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
180W (Tc)

STW60NE10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
工作温度
175℃ (TJ)

STW60NE10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
8 页 / 0.28 MByte

STW60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 500 V, 0.035 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO- 247的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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