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STW6N95K5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

950V,1Ω,9A,N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW6N95K5 数据手册 (16 页)

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STW6N95K5 数据手册 (16 页)

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STW6N95K5 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

功耗

90 W

漏源极电压(Vds)

950 V

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

450pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

90 W

下降时间

21 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

90W (Tc)

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STW6N95K5 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW6N95K5 符合标准

STW6N95K5 概述

STW6N95K5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

16 页 / 0.95 MByte

STW6N95K5 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

23 页 / 1.22 MByte

STW6N95 数据手册

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950V,1Ω,9A,N沟道功率MOSFET

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