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STW88N65M5-4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-4

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW88N65M5-4 数据手册 (14 页)

封装尺寸在10 页 11 页

STW88N65M5-4 数据手册 (14 页)

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STW88N65M5-4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

TO-247-4

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.024 Ω

功耗

450 W

阈值电压

4 V

输入电容

8825 pF

漏源极电压(Vds)

650 V

输入电容值(Ciss)

8825pF @100V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

450W (Tc)

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STW88N65M5-4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.9 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STW88N65M5-4 符合标准

STW88N65M5-4 海关信息

STW88N65M5-4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.67 MByte

STW88N65M5-4 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.68 MByte

STW88N65 数据手册

STW88N65M5 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STW88N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 84 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 650 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V

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