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SUB75N08-10-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SUB75N08-10-E3 数据手册 (6 页)

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SUB75N08-10-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263-3

漏源极电阻

21.0 mΩ

极性

N-Channel

功耗

3.70 W

漏源极电压(Vds)

75.0 V

漏源击穿电压

75.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

75.0 A

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SUB75N08-10-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

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SUB75N08-10-E3 符合标准

SUB75N08-10-E3 数据手册

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