￥ 0

SUB75P03-07-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SUB75P03-07-E3 数据手册 (2 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SUB75P03-07-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-263-3

漏源极电阻

0.0055 Ω

功耗

187 W

漏源极电压(Vds)

30 V

输入电容值(Ciss)

9000pF @25V(Vds)

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.75W (Ta), 187W (Tc)

查看数据手册 >

SUB75P03-07-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

长度

10.67 mm

宽度

9.65 mm

高度

4.83 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

查看数据手册 >

SUB75P03-07-E3 符合标准

SUB75P03-07-E3 概述

SUB75P03-07-E3 数据手册

Vishay Siliconix

2 页 / 0.06 MByte

SUB75P03-07-E3 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

7 页 / 0.09 MByte

SUB75P03-07-E3 其他参考文件

Vishay Siliconix

1 页 / 0.12 MByte

SUB75P0307 数据手册

SUB75P03-07 数据手册

Vishay Siliconix

SUB75P03-07 数据手册

VISHAY（威世）

P通道30 -V （ D- S） 175 2 C MOSFET P-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

SUB75P03-07 数据手册

Visay

SUB75P03-07-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SUB75P03-07-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

P通道30 -V （ D- S） 175℃ MOSFET P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET

SUB75P03-07-E3 数据手册

VISHAY（威世）

P通道30 -V （ D- S） 175℃ MOSFET P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET

SUB75P03-07-E3 数据手册

Vishay Intertechnology

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号