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SUB75P03-07-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-263

描述:

P通道30 -V （ D- S） 175℃ MOSFET P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SUB75P03-07-E3 数据手册 (2 页)

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SUB75P03-07-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

-30.0 V

封装

TO-263

漏源极电阻

7.00 mΩ

极性

P-Channel

功耗

187 W

漏源极电压(Vds)

30 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

75.0 A

耗散功率(Max)

3.75W (Ta), 187W (Tc)

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SUB75P03-07-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

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SUB75P03-07-E3 符合标准

SUB75P03-07-E3 数据手册

VISHAY（威世）

2 页 / 0.06 MByte

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