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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SUD19N20-90-T4-E3 Datasheet 文档
SUD19N20-90-T4-E3
1.669

SUD19N20-90-T4-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
功耗
3W (Ta), 136W (Tc)
漏源极电压(Vds)
200 V
输入电容值(Ciss)
1800pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
3W (Ta), 136W (Tc)

SUD19N20-90-T4-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SUD19N20-90-T4-E3 数据手册

Vishay Siliconix
7 页 / 0.15 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.14 MByte

SUD19N2090T4 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
N沟道200 V(D -S ), 175 ℃的MOSFET N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET
Vishay Intertechnology
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