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SUD19P06-60
0.269

SUD19P06-60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
DPAK
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
18.3A

SUD19P06-60 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.18 MByte

SUD19 数据手册

VISHAY(威世)
SUD19P06-60-GE3 编带
VISHAY(威世)
N沟道200 -V ( D- S) 175℃ MOSFET N-Channel 200-V (D-S) 175 °C MOSFET
VISHAY(威世)
P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD19P06-60-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.3 A, -60 V, 0.048 ohm, -10 V, -3 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD19N20-90-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 90 mohm, 10 V, 4 V
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