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SUD19P06-60-E3
0.476
SUD19P06-60-E3 数据手册 (6 页)
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SUD19P06-60-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252-3
功耗
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
输入电容值(Ciss)
1710pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)

SUD19P06-60-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

SUD19P06-60-E3 数据手册

Vishay Siliconix
6 页 / 0.07 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.15 MByte

SUD19P0660 数据手册

VISHAY(威世)
P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
SUD19P06-60-GE3 编带
VISHAY(威世)
P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD19P06-60-GE3  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.3 A, -60 V, 0.048 ohm, -10 V, -3 V
Vishay Semiconductor(威世)
P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
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