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SUD45P03-09-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

P-沟道 30 V 0.0033 Ohm 41.7 W 表面贴装功率 MosFet - TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SUD45P03-09-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

SUD45P03-09-GE3 数据手册 (8 页)

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SUD45P03-09-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

0.0072 Ω

极性

P-Channel

功耗

41.7 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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SUD45P03-09-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.38 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SUD45P03-09-GE3 符合标准

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SUD45P03-09-GE3 其他数据使用手册

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