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SUD45P03-09-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

SUD45P03-09-GE3 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SUD45P03-09-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

SUD45P03-09-GE3 数据手册 (8 页)

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SUD45P03-09-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0072 Ω

极性

P-Channel

功耗

2.1 W

阈值电压

2.5 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

45A

输入电容值(Ciss)

2700pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

2.1 W

工作温度(Max)

150 ℃

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SUD45P03-09-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

2000

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SUD45P03-09-GE3 符合标准

SUD45P03-09-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.15 MByte

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