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SUD50N02-06-E3
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SUD50N02-06-E3 数据手册 (5 页)
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SUD50N02-06-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252
漏源极电阻
9.00 mΩ
极性
N-Channel
功耗
100 W
漏源击穿电压
20.0 V
栅源击穿电压
±12.0 V
连续漏极电流(Ids)
30.0 A

SUD50N02-06-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete

SUD50N02-06-E3 数据手册

Vishay Siliconix
5 页 / 0.08 MByte

SUD50N0206 数据手册

Vishay Siliconix
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S ) 175Celsius MOSFET N-Channel 20-V (D-S) 175Celsius MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Siliconix
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