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SUD50N03-07
0.831
SUD50N03-07 数据手册 (7 页)
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SUD50N03-07 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
30.0 V
封装
TO-252-3
漏源极电阻
7.00 mΩ
极性
N-Channel
功耗
136 W
漏源击穿电压
30.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
20.0 A

SUD50N03-07 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
长度
6.73 mm
宽度
6.22 mm
高度
2.38 mm

SUD50N03-07 数据手册

Vishay Siliconix
7 页 / 0.09 MByte
Vishay Siliconix
6 页 / 0.11 MByte

SUD50 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道100 -V ( D- S) 175℃ MOSFET P-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET
VISHAY(威世)
P 通道 MOSFET,30V 至 80V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
P通道60 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P沟道40 V (D -S ) , 175 ℃的MOSFET P-Channel 40 V (D-S), 175 °C MOSFET
VISHAY(威世)
N通道40 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD50P10-43L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -38 A, -100 V, 0.036 ohm, -10 V, -3 V
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V
VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -60 V, 0.012 ohm, -10 V, -3 V
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