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SUD50N06-09L
0.236
SUD50N06-09L 数据手册 (5 页)
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SUD50N06-09L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252
漏源极电阻
12.2 mΩ
极性
N-Channel
功耗
100 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
50.0 A

SUD50N06-09L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

SUD50N06-09L 数据手册

VISHAY(威世)
5 页 / 0.33 MByte
VISHAY(威世)
6 页 / 0.08 MByte

SUD50N0609 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD50N06-09L-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V
VISHAY(威世)
N通道60 -V ( DS ) 175Celsius MOSFET的逻辑电平 N-Channel 60-V (D-S) 175Celsius MOSFET, Logic Level
Vishay Intertechnology
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