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Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SUD50N06-09L-E3 Datasheet 文档
SUD50N06-09L-E3
2.023
SUD50N06-09L-E3 数据手册 (5 页)
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SUD50N06-09L-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
0.0074 Ω
功耗
136 W
阈值电压
2 V
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电容值(Ciss)
2650pF @25V(Vds)
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta), 136W (Tc)

SUD50N06-09L-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SUD50N06-09L-E3 数据手册

Vishay Siliconix
5 页 / 0.06 MByte
Vishay Siliconix
8 页 / 0.14 MByte

SUD50N0609 数据手册

VISHAY(威世)
晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD50N06-09L-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0074 ohm, 10 V, 2 V
VISHAY(威世)
N通道60 -V ( DS ) 175Celsius MOSFET的逻辑电平 N-Channel 60-V (D-S) 175Celsius MOSFET, Logic Level
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