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SUD50P04-09L-E3
1.419
SUD50P04-09L-E3 数据手册 (5 页)
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SUD50P04-09L-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
漏源极电阻
0.017 Ω
功耗
136 W
漏源极电压(Vds)
40 V
上升时间
60 ns
输入电容值(Ciss)
4800pF @25V(Vds)
下降时间
140 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3W (Ta), 136W (Tc)

SUD50P04-09L-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
6.73 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃

SUD50P04-09L-E3 数据手册

Vishay Siliconix
5 页 / 0.06 MByte
Vishay Siliconix
2 页 / 0.22 MByte

SUD50P0409 数据手册

VISHAY(威世)
P沟道40 V (D -S ) , 175 ℃的MOSFET P-Channel 40 V (D-S), 175 °C MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUD50P04-09L-E3  场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -50A, TO-252-3
Vishay Intertechnology
VISHAY(威世)
P通道40 - V(D -S), 175℃下的MOSFET P-Channel 40-V (D-S), 175C MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
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