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Datasheet 搜索 > MOS管 > VISHAY(威世) > SUM110P04-05-E3 Datasheet 文档
SUM110P04-05-E3
1.701
SUM110P04-05-E3 数据手册 (8 页)
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SUM110P04-05-E3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
额定功率
375 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0041 Ω
极性
P-Channel
功耗
15 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
40 V
连续漏极电流(Ids)
-110 A
输入电容值(Ciss)
11300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
375 W
工作温度(Max)
175 ℃
耗散功率(Max)
15W (Ta), 375W (Tc)

SUM110P04-05-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
最小包装数量
2000

SUM110P04-05-E3 数据手册

VISHAY(威世)
8 页 / 0.15 MByte
VISHAY(威世)
42 页 / 0.38 MByte
VISHAY(威世)
2 页 / 0.28 MByte

SUM110P0405 数据手册

VISHAY(威世)
P通道40 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
VISHAY(威世)
P通道40 -V (D -S )的MOSFET P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUM110P04-05-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -110 A, -40 V, 0.0041 ohm, -10 V, -3 V
Vishay Intertechnology
Vishay Semiconductor(威世)
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