￥ 1.043

SUP85N03-04P-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SUP85N03-04P-E3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

SUP85N03-04P-E3 数据手册 (8 页)

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SUP85N03-04P-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

漏源极电阻

3.50 mΩ

极性

N-Channel

功耗

166 W

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

85.0 A

上升时间

12 ns

输入电容值(Ciss)

4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.75 W

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3750 mW

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SUP85N03-04P-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

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SUP85N03-04P-E3 符合标准

SUP85N03-04P-E3 数据手册

VISHAY（威世）

8 页 / 0.12 MByte

SUP85N03-04P-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

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