￥ 0.927

SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

封装:

TO-220-3

描述:

N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册 (6 页)

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SUP85N03-3M6P-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.003 Ω

极性

N-CH

功耗

3.1 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

85A

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

175 ℃

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SUP85N03-3M6P-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

长度

10.41 mm

宽度

4.7 mm

高度

15.49 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

最小包装数量

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SUP85N03-3M6P-GE3 符合标准

SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

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