Web Analytics
Datasheet 搜索 > MOS管 > Vishay Siliconix > SUP85N03-3M6P-GE3 Datasheet 文档
SUP85N03-3M6P-GE3
6.426
SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

SUP85N03-3M6P-GE3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
0.003 Ω
极性
N-Channel
功耗
78.1 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
输入电容值(Ciss)
3535pF @15V(Vds)
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
3.1W (Ta), 78.1W (Tc)

SUP85N03-3M6P-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册

Vishay Siliconix
8 页 / 0.36 MByte
Vishay Siliconix
6 页 / 0.06 MByte
Vishay Siliconix
9 页 / 0.22 MByte

SUP85N033M6 数据手册

VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  SUP85N03-3M6P-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 1 V
VISHAY(威世)
N通道30 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Intertechnology
器件 Datasheet 文档搜索
器件加载中...
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

BOM选型工具
智能匹配型号
推荐替代方案
预警生产风险
计算采购成本
上传BOM文件
文件格式:*.xlsx,*.xls,*csv
Gerber文件查看器
15秒快速建模
预览PCB成品
支持40种板层
预检生产问题
上传Gerber文件
支持标准RS-274X文件,接受zip、rar、7z