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SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

VISHAY SUP85N03-3M6P-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 85 A, 30 V, 0.003 ohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册 (20 页)

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SUP85N03-3M6P-GE3 数据手册 (20 页)

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SUP85N03-3M6P-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.003 Ω

极性

N-Channel

功耗

78.1 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

工作温度(Max)

175 ℃

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SUP85N03-3M6P-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Bulk

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SUP85N03-3M6P-GE3 符合标准

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