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Datasheet 搜索 > 钽电容 > Vishay Sprague > T55A106M010C0200 Datasheet 文档
T55A106M010C0200
器件3D模型
0.181
T55A106M010C0200 数据手册 (25 页)
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T55A106M010C0200 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
电容
10 μF
等效串联电阻(ESR)
200 mΩ
容差
±20 %
封装
1206
额定电压
10 V

T55A106M010C0200 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
介质材料
Tantalum
工作温度
-55℃ ~ 105℃

T55A106M010C0200 数据手册

Vishay Sprague
25 页 / 0.65 MByte
Vishay Sprague
10 页 / 0.64 MByte

T55A106M010 数据手册

VISHAY(威世)
T55 系列T55 固体钽表面安装片状电容器 模制盒、高性能聚合体型超低 ESR 模制外壳,提供 5 个箱代码 接线端子:箱 J、P 和 A:100% 锡 箱 B 和 T:Ni/Pd/Au 与高容量自动拾放设备兼容 湿度敏感性等级 3 去耦、平滑、滤波中的应用;无线卡中的节能存储;基础设施设备;存储和网络;计算机主板;智能手机和平板电脑
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55A106M010C0200  表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 10 µF, 1206 [3216-18 公制], 0.2 ohm, 10 V
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
T55 系列 10uF ±20% 10V 500mΩ 高性能 固态 钽电容
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