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T55A106M010C0500
器件3D模型
0.393
T55A106M010C0500 数据手册 (14 页)
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T55A106M010C0500 技术参数、封装参数

类型
描述
电容
10 μF
封装
1206
额定电压
10 VDC

T55A106M010C0500 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
介质材料
Tantalum

T55A106M010C0500 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
14 页 / 0.32 MByte

T55A106M010 数据手册

VISHAY(威世)
T55 系列T55 固体钽表面安装片状电容器 模制盒、高性能聚合体型超低 ESR 模制外壳,提供 5 个箱代码 接线端子:箱 J、P 和 A:100% 锡 箱 B 和 T:Ni/Pd/Au 与高容量自动拾放设备兼容 湿度敏感性等级 3 去耦、平滑、滤波中的应用;无线卡中的节能存储;基础设施设备;存储和网络;计算机主板;智能手机和平板电脑
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55A106M010C0200  表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 10 µF, 1206 [3216-18 公制], 0.2 ohm, 10 V
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
T55 系列 10uF ±20% 10V 500mΩ 高性能 固态 钽电容
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Dale(威世达勒)
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