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TC58BVG1S3HBAI4
2.242
TC58BVG1S3HBAI4 数据手册 (2 页)
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TC58BVG1S3HBAI4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
63 Pin
封装
TFBGA-63
存取时间
25 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
2.7 V

TC58BVG1S3HBAI4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
11 mm
宽度
9 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

TC58BVG1S3HBAI4 数据手册

Toshiba(东芝)
2 页 / 0.51 MByte
Toshiba(东芝)
51 页 / 1.16 MByte

TC58BVG1S3 数据手册

Toshiba(东芝)
NAND闪存 3.3V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Toshiba(东芝)
BENAND™ SLC NAND 闪存,内置 ECC,ToshibaBENAND™ 是 SLC (单层单元)NAND 闪存,内置 ECC(错误校正码)。### BENAND™ SLC NAND 闪存
Toshiba(东芝)
BENAND™ SLC NAND 闪存,内置 ECC,ToshibaBENAND™ 是 SLC (单层单元)NAND 闪存,内置 ECC(错误校正码)。### BENAND™ SLC NAND 闪存
Toshiba(东芝)
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