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TC58BYG1S3HBAI4
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TC58BYG1S3HBAI4 数据手册 (66 页)
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TC58BYG1S3HBAI4 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
63 Pin
封装
FBGA
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

TC58BYG1S3HBAI4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray

TC58BYG1S3HBAI4 数据手册

Toshiba(东芝)
66 页 / 0.46 MByte

TC58BYG1S3 数据手册

Toshiba(东芝)
NAND闪存 1.8V 2Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
Toshiba(东芝)
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