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TIP116TU
0.068
TIP116TU 数据手册 (5 页)
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TIP116TU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-80.0 V
额定电流
-2.00 A
封装
TO-220-3
极性
PNP
功耗
2000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
2A
最小电流放大倍数
1000 @1A, 4V
额定功率(Max)
2 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

TIP116TU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Rail
高度
9.2 mm
工作温度
150℃ (TJ)

TIP116TU 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
5 页 / 0.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
15 页 / 0.18 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
1 页 / 0.09 MByte

TIP116 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors
Multicomp
MULTICOMP  TIP116  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 50 W, -4 A, 1000 hFE
Central Semiconductor
达林顿晶体管 PNP Pwr Darlington
Motorola(摩托罗拉)
Boca Semiconductor(博卡半导体)
Inchange Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
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