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TIP33C
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TIP33C 数据手册 (6 页)
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TIP33C 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
100 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-218-3
极性
NPN
功耗
80 W
增益频宽积
3 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
100 V
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
20 @3A, 4V
最大电流放大倍数
100
额定功率(Max)
80 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃

TIP33C 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tube
长度
15.2 mm
宽度
4.9 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)
最小包装数量
30

TIP33C 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.15 MByte

TIP33 数据手册

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NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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