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TISP61089DR-S
器件3D模型
0.494
TISP61089DR-S 数据手册 (8 页)
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TISP61089DR-S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电容
100 pF
封装
SOIC-8
击穿电压
64 V
正向电压
3 V
保持电流
150 mA
保持电流(Max)
150mA (Min)
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃

TISP61089DR-S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.547 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃

TISP61089DR-S 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
8 页 / 0.63 MByte
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
14 页 / 0.22 MByte

TISP61089 数据手册

Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双正向导电的P- GATE闸流体可编程过电压保护 DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
BOURNS  TISP61089BDR-S  TVS晶闸管, 8 引脚, SOIC, SLIC保护器, -112 V, 2 电路 新
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
BOURNS  TISP61089ADR-S  TVS晶闸管, 8 引脚, SOIC, 过压保护器, -64 V, 1 电路
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
SLIC Surge Arrestor Arrays, Bourns Electronics### 瞬态电压抑制器,Bourns Electronics
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
双正向导电的P- GATE晶闸管可编程过电压保护器 DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTOR PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTOR
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
BOURNS  TISP61089MDR-S  晶闸管, -170 V, 5 mA, -5 µA, SOIC, 8 引脚
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
BOURNS  TISP61089QBDR-S  TVS晶闸管, 浪涌保护, 8 引脚, SOIC, 过压保护器, -64 V, 2 电路
Bourns J.W. Miller(伯恩斯)
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