TJ15P04M3,RQ(S

￥ 0.257

TJ15P04M3,RQ(S 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TJ15P04M3,RQ(S 数据手册 (10 页)

TJ15P04M3,RQ(S 数据手册 (10 页)

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TJ15P04M3,RQ(S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

48 mΩ

功耗

29 W

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

1100pF @10V(Vds)

下降时间

42 ns

耗散功率(Max)

29W (Tc)

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TJ15P04M3,RQ(S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.5 mm

宽度

5.5 mm

高度

2.3 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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TJ15P04M3,RQ(S 符合标准

TJ15P04M3,RQ(S 数据手册

TJ15P04M3,RQ(S 数据手册

Toshiba（东芝）

10 页 / 0.24 MByte

TJ15P04M3,RQ(S 产品设计参考手册

Toshiba（东芝）

63 页 / 1.58 MByte

TJ15P04M3,RQ(S 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

9 页 / 0.24 MByte

TJ15P04M3 数据手册

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Toshiba（东芝）

TJ15P04M3 增强型场效电晶体硅p沟道 -40V -15A TO252 代码 TJ15P04M3

TJ15P04M3,RQ(S 数据手册

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