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TK100E06N1,S1X(S
0.813
TK100E06N1,S1X(S 数据手册 (7 页)
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TK100E06N1,S1X(S 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
极性
N-CH
功耗
255 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
263A
上升时间
67 ns
输入电容值(Ciss)
10500pF @30V(Vds)
下降时间
64 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
256000 mW

TK100E06N1,S1X(S 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃

TK100E06N1,S1X(S 数据手册

Toshiba(东芝)
7 页 / 0.67 MByte
Toshiba(东芝)
13 页 / 0.2 MByte

TK100E06N1S1 数据手册

Toshiba(东芝)
场效应管(MOSFET) TK100E06N1,S1X(S TO-220
Toshiba(东芝)
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