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TK100E06N1,S1X(S 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

MOS管

封装:

TO-220

描述:

场效应管(MOSFET) TK100E06N1,S1X(S TO-220

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TK100E06N1,S1X(S 数据手册 (7 页)

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TK100E06N1,S1X(S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220

极性

N-CH

功耗

255 W

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

263A

上升时间

67 ns

输入电容值(Ciss)

10500pF @30V(Vds)

下降时间

64 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

256000 mW

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TK100E06N1,S1X(S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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TK100E06N1,S1X(S 符合标准

TK100E06N1,S1X(S 海关信息

TK100E06N1,S1X(S 数据手册

Toshiba（东芝）

7 页 / 0.67 MByte

TK100E06N1,S1X(S 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

13 页 / 0.2 MByte

TK100E06N1S1 数据手册

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