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TK10A60D(Q,M)
1.607
TK10A60D(Q,M) 数据手册 (6 页)
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TK10A60D(Q,M) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220
极性
N-Channel
功耗
45.0 W
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
10A
上升时间
22 ns
下降时间
15 ns

TK10A60D(Q,M) 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃

TK10A60D(Q,M) 数据手册

Toshiba(东芝)
6 页 / 0.24 MByte
Toshiba(东芝)
63 页 / 1.58 MByte
Toshiba(东芝)
6 页 / 0.18 MByte

TK10A60 数据手册

Toshiba(东芝)
N沟道 600V 10A
Toshiba(东芝)
N 通道 MOSFET,TKxxxx,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba
Toshiba(东芝)
电源、开关
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
场效应管(MOSFET) TK10A60D(STA4,X,S) TO-220
Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
MOSFET DTMOS IV 系列,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba
Toshiba(东芝)
Power MOSFETs, Nch TKxxxx, Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba
Toshiba(东芝)
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