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TK160F10N1,LQ(O
1.357
TK160F10N1,LQ(O 数据手册 (10 页)
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TK160F10N1,LQ(O 技术参数、封装参数

类型
描述
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
160A
上升时间
22 ns
下降时间
46 ns

TK160F10N1,LQ(O 数据手册

Toshiba(东芝)
10 页 / 0.33 MByte

TK160F10N1 数据手册

Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
场效应管(MOSFET) TK160F10N1,LXGQ TO-220SM
Toshiba(东芝)
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