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TK18A50D(STA4,Q,M) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

场效应管(MOSFET) TK18A50D(STA4,Q,M) TO-220SIS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TK18A50D(STA4,Q,M) 数据手册 (7 页)

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TK18A50D(STA4,Q,M) 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

功耗

50 W

漏源极电压(Vds)

500 V

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

2600pF @25V(Vds)

下降时间

25 ns

耗散功率(Max)

50W (Tc)

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TK18A50D(STA4,Q,M) 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10 mm

宽度

4.5 mm

高度

15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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TK18A50D(STA4,Q,M) 符合标准

TK18A50D(STA4,Q,M) 海关信息

TK18A50D(STA4,Q,M) 数据手册

Toshiba（东芝）

7 页 / 0.17 MByte

TK18A50D(STA4,Q,M) 产品设计参考手册

Toshiba（东芝）

63 页 / 1.58 MByte

TK18A50D(STA4,Q,M) 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

42 页 / 0.46 MByte

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