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TK31E60X,S1X
5.391
TK31E60X,S1X 数据手册 (11 页)
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TK31E60X,S1X 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
73 mΩ
功耗
230 W
阈值电压
3.5 V
漏源极电压(Vds)
600 V
漏源击穿电压
600 V
上升时间
22 ns
输入电容值(Ciss)
3000pF @300V(Vds)
下降时间
6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
230W (Tc)

TK31E60X,S1X 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Rail, Tube
长度
10.16 mm
宽度
4.45 mm
高度
15.1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

TK31E60X,S1X 数据手册

Toshiba(东芝)
11 页 / 0.24 MByte
Toshiba(东芝)
10 页 / 0.24 MByte

TK31E60XS1 数据手册

Toshiba(东芝)
Toshiba(东芝)
N 通道 MOSFET,TKxxxx,Toshiba### MOSFET 晶体管,Toshiba
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