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TK3P50D,RQ(S 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

TK3P50D,RQ(S 数据手册 (63 页)

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TK3P50D,RQ(S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-252-3

极性

N-CH

功耗

60W (Tc)

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

20 ns

输入电容值(Ciss)

280pF @25V(Vds)

下降时间

10 ns

耗散功率(Max)

60W (Tc)

TK3P50D,RQ(S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

TK3P50D,RQ(S 符合标准

TK3P50D,RQ(S 海关信息

TK3P50D,RQ(S 概述

TK3P50D,RQ(S 数据手册

TK3P50D,RQ(S 产品设计参考手册

Toshiba（东芝）

63 页 / 1.58 MByte

TK3P50D,RQ(S 其他数据使用手册

Toshiba（东芝）

9 页 / 0.22 MByte

TK3P50 数据手册

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TOSHIBA TK3P50D 晶体管, MOSFET, 功率, N沟道, 3 A, 500 V, 2.3 ohm, 10 V, 2.4 V

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