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TK4A60DB(STA4,Q) 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

分类:

中高压MOS管

封装:

SC-67

描述:

TOSHIBA TK4A60DB(STA4,Q) 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.6 ohm, 10 V, 2.4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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TK4A60DB(STA4,Q) 数据手册 (6 页)

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TK4A60DB(STA4,Q) 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

SC-67

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.6 Ω

极性

N-Channel

功耗

35 W

阈值电压

2.4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

3.7A

工作温度(Max)

150 ℃

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