器件3D模型

￥ 1.341

TLC271MDR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

放大器、缓冲器

封装:

SOIC-8

描述:

LinCMOSE可编程低功耗运算放大器 LinCMOSE PROGRAMMABLE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TLC271MDR 数据手册 (39 页)

封装尺寸在24 页 25 页 27 页 28 页 32 页

原理图在8 页

TLC271MDR 数据手册 (39 页)

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TLC271MDR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

供电电流

950 µA

电路数

1 Circuit

通道数

1 Channel

功耗

725 mW

输入补偿漂移

1.80 µV/K

带宽

1.70 MHz

转换速率

3.60 V/μs

增益频宽积

2.2 MHz

输入补偿电压

1.1 mV

输入偏置电流

0.7 pA

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

增益带宽

2.2 MHz

耗散功率(Max)

725 mW

共模抑制比(Min)

65 dB

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TLC271MDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.91 mm

高度

1.58 mm

工作温度

-55℃ ~ 125℃

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TLC271MDR 符合标准

TLC271MDR 概述

TLC271MDR 数据手册

TI（德州仪器）

39 页 / 1.39 MByte

TLC271MDR 用户编程技术手册

TI（德州仪器）

85 页 / 2.19 MByte

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