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TLC27L1CDR
器件3D模型
1.733
TLC27L1CDR 数据手册 (32 页)
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TLC27L1CDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出电流
≤30 mA
供电电流
14 µA
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
功耗
0.725 W
共模抑制比
65 dB
输入补偿漂移
1.10 µV/K
带宽
85.0 kHz
转换速率
30.0 mV/μs
增益频宽积
0.085 MHz
输入补偿电压
1.1 mV
输入偏置电流
0.7 pA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
增益带宽
0.085 MHz
耗散功率(Max)
725 mW
共模抑制比(Min)
65 dB

TLC27L1CDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
0℃ ~ 70℃

TLC27L1CDR 数据手册

TI(德州仪器)
32 页 / 0.5 MByte
TI(德州仪器)
28 页 / 1.09 MByte

TLC27L1 数据手册

TI(德州仪器)
LinCMOS(TM) 低功耗运算放大器
TI(德州仪器)
LinCMOSE低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
LinCMOS,微功耗运放
TI(德州仪器)
LinCMOSE低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
精密放大器 LinCMOS Lo-Power Op Amp
TI(德州仪器)
LinCMOSE低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
LinCMOSE低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
TI(德州仪器)
LinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC 0 to 70
TI(德州仪器)
LinCMOS™ 低功耗运算放大器 8-SOIC -40 to 85
TI(德州仪器)
LinCMOSE低功耗运算放大器 LinCMOSE LOW-POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS
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