￥ 1.534

TLE4966V-1K 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

地磁传感器

封装:

TSOP-6-6

描述:

霍尔效应锁存

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

TLE4966V-1K 数据手册 (60 页)

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TLE4966V-1K 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TSOP-6-6

输出电压

0.3V ~ 32V

输出电流(Max)

10 mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

40 ℃

电源电压(Max)

32 V

电源电压(Min)

3.5 V

TLE4966V-1K 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 150℃

TLE4966V-1K 符合标准

TLE4966V-1K 数据手册

TLE4966V-1K 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

60 页 / 10.99 MByte

TLE4966V-1K 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

24 页 / 1.53 MByte

TLE4966V-1K 开发手册

Infineon（英飞凌）

17 页 / 1.28 MByte

TLE4966V-1K 产品描述及参数

Infineon（英飞凌）

22 页 / 1.31 MByte

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Infineon（英飞凌）

霍尔效应开关, 高精密, 锁定式, 0.0025 T, -0.0025 T, 3.5 V, 32 V, TSOP

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