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TLP385(D4-YH,E 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:

Toshiba（东芝）

封装:

SO-6

描述:

晶体管输出光电耦合器 GaAs Infrared and Photo-Transistor

Pictures:

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TLP385(D4-YH,E 数据手册 (20 页)

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TLP385(D4-YH,E 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SO-6

上升/下降时间

2µs, 3µs

通道数

1 Channel

正向电压

1.25 V

功耗

200 mW

隔离电压

5000 Vrms

正向电流

50 mA

输出电压(Max)

80 V

下降时间

3 µs

工作温度(Max)

110 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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TLP385(D4-YH,E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

工作温度

-55℃ ~ 110℃

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TLP385(D4-YH,E 符合标准

TLP385(D4-YH,E 概述

TLP385(D4-YH,E 数据手册

Toshiba（东芝）

20 页 / 0.84 MByte

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