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TLV2171IDR
器件3D模型
0.298
TLV2171IDR 数据手册 (40 页)
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TLV2171IDR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
供电电流
525 µA
电路数
2 Circuit
针脚数
8 Position
共模抑制比
94 dB
输入补偿漂移
1.00 µV/K
带宽
3 MHz
转换速率
1.50 V/μs
增益频宽积
3 MHz
输入补偿电压
2.7 mV
输入偏置电流
10 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
94 dB

TLV2171IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV2171IDR 数据手册

TI(德州仪器)
40 页 / 1.71 MByte

TLV2171 数据手册

TI(德州仪器)
36V 低功耗 RRO 通用运算放大器
TI(德州仪器)
运算放大器, RRO, 2个放大器, 3 MHz, 1.5 V/µs, 2.7V 至 36V, ± 1.35V 至 ± 18V, SOIC, 8 引脚
TI(德州仪器)
运算放大器, RRO, 2个放大器, 3 MHz, 1.5 V/µs, 2.7V 至 36V, ± 1.35V 至 ± 18V, VSSOP, 8 引脚
TI(德州仪器)
2 通道、3MHz、36V、低功耗、RRO、通用运算放大器 8-VSSOP -40 to 125
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