器件3D模型

￥ 0.059

TLV9002IDR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

封装:

SOIC-8

描述:

TLV9002IDR 编带

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TLV9002IDR 数据手册 (35 页)

TLV9002IDR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

供电电流

60 µA

电路数

2 Circuit

针脚数

8 Position

带宽

1 MHz

增益频宽积

1 MHz

输入补偿电压

400 µV

输入偏置电流

5 pA

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

共模抑制比(Min)

63 dB

电源电压

1.8V ~ 5.5V

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TLV9002IDR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 125℃ (TA)

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TLV9002IDR 符合标准

TLV9002IDR 概述

TLV9002IDR 数据手册

TI（德州仪器）

35 页 / 2.07 MByte

TLV9002 数据手册

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TI（德州仪器）

运算放大器, RRIO, 2个放大器, 1 MHz, 2 V/µs, 1.8V 至 5.5V, VSSOP, 8 引脚

TLV9002IDSGR 数据手册

TI（德州仪器）

适用于成本优化型系统的 2 通道、1MHz、RRIO、1.8V 至 5.5V 运算放大器 8-WSON -40 to 125

TLV9002IPWR 数据手册

TI（德州仪器）

适用于成本优化型系统的 2 通道、1MHz、RRIO、1.8V 至 5.5V 运算放大器 8-TSSOP -40 to 125

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