￥ 0

TN0200K-T1-E3 数据手册 - Vishay Siliconix

制造商:

Vishay Siliconix

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

TN0200K-T1-E3 数据手册 (5 页)

查看文档

或点击图片查看大图

TN0200K-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

0.5 Ω

极性

N-Channel

功耗

0.35 W

阈值电压

600 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

730 mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

350mW (Ta)

查看数据手册 >

TN0200K-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Cut Tape (CT)

长度

3.04 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

TN0200K-T1-E3 符合标准

TN0200K-T1-E3 概述

TN0200K-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

5 页 / 0.07 MByte

TN0200K-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Siliconix

2 页 / 0.18 MByte

TN0200K-T1-E3 其他参考文件

Vishay Siliconix

1 页 / 0.12 MByte

TN0200KT1 数据手册

TN0200K-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY TN0200K-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 20 V, 400 mohm, 4.5 V, 600 mV

TN0200K-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

TN0200K-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

N通道20 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs

TN0200KT1E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号