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TN0200T
0.093

TN0200T 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.73A
耗散功率(Max)
1 W

TN0200T 数据手册

VISHAY(威世)
4 页 / 0.06 MByte
VISHAY(威世)
5 页 / 0.04 MByte
VISHAY(威世)
4 页 / 0.06 MByte

TN0200 数据手册

VISHAY(威世)
规格比较TN0200K与TN0200T Specification Comparison TN0200K vs. TN0200T
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  TN0200K-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 20 V, 400 mohm, 4.5 V, 600 mV
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
MOS(场效应管)/TN0200T
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
Vishay Semiconductor(威世)
TN0200K N沟道MOSFET 20V 730mA/0.73A SOT-23/SC-59 marking/标记 高速开关/低导通电阻
VISHAY(威世)
集成电路
VISHAY(威世)
VISHAY(威世)
规格比较TN0200K与TN0200T Specification Comparison TN0200K vs. TN0200T
VISHAY(威世)
N通道20 -V (D -S )的MOSFET N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
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