TN0205AD-T1 数据手册 - VISHAY（威世）

●最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 20V/20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V/-8V 最大漏极电流IdDrain Current| 250mA/0.25A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 2Ω@ VGS = 4.5V, ID = 250mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.4V~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| N-Channel 20-V MOSFET FEATURES: Low On-Resistance: 2.0 Ω Low Threshold: 0.9 V (typ) Fast Switching Speed: 35 ns 2.5-V or Lower Operation BENEFITS: Ease in Driving Switches Low Offset (Error) Voltage Low-Voltage Operation High-Speed Circuits Low Battery Voltage Operation APPLICATIONS: Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories Battery operated Systems Solid State Relay Load/Power Switching-Cell Phones, PDA 描述与应用| N沟道20-V MOSFET 特点： 低导通电阻：2.0Ω 低门槛：0.9 V（典型值） 开关速度快：35纳秒 2.5 V或更低的操作 优点： 易于驾驶开关 低失调电压（错误） 低电压工作 高速电路 低电池电压工作 应用： 驱动器：继电器，螺线管，灯，  锤，显示，记忆 电池供电系统 固态继电器 负载/功率开关手机，PDA