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TN2106N3-P013
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TN2106N3-P013 数据手册 (7 页)
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TN2106N3-P013 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TO-92-3
功耗
740 mW
上升时间
5 ns
下降时间
5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

TN2106N3-P013 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
长度
5.21 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm

TN2106N3-P013 数据手册

Microchip(微芯)
7 页 / 0.52 MByte

TN2106N3 数据手册

Supertex(超科)
Microchip(微芯)
晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 2 V
Supertex(超科)
Microchip(微芯)
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