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TP0101K
0.068
TP0101K 数据手册 (1 页)
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TP0101K 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.58A

TP0101K 数据手册

VISHAY(威世)
1 页 / 0.06 MByte

TP0101 数据手册

VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET ,低门槛 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
VISHAY(威世)
高边开关低导通电阻:0.45低门槛:0.9 V(典型值)开关速度快:32纳秒2.5 V或更低的操作
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET ,低门槛 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  TP0101K-T1-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mV
VISHAY(威世)
高边开关低导通电阻:0.45低门槛:0.9 V(典型值)开关速度快:32纳秒2.5 V或更低的操作
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET ,低门槛 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
VISHAY(威世)
P通道20 -V (D -S )的MOSFET ,低门槛 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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